特許
J-GLOBAL ID：200903037573022340
半導体導波路構造を含む製品
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡部 正夫 (外10名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-123852
公開番号（公開出願番号）：特開平8-327839
出願日： 1996年05月20日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、半導体導波路構造を含む製品を提供する。【解決手段】 本発明に従う製品は、コア(11、12、13)及びクラッド(たとえば14、15、16)を有する半導体導波路を含み、クラッドはドープされた半導体材料(17)を含む。ドーピングレベルはドーピングされた材料の複素屈折率の実部n及び虚数部kの両方が、比較的低く、たとえば【数14】及びk<1であるように選択される。ここで、【数15】は材料の高周波格子誘電定数である。ドーピングレベルを適切に選択することによって、誘導された放射の減衰が増加することなく、誘導された放射の閉じ込めが改善される。本発明はたとえば、長波長(〜8.5μm)量子カスケードレーザで実施される。他の実施例も考えられる。
請求項（抜粋）：
真空波長λの放射に対する導波路を含み、前記導波路はコア領域(11、12、13)及びコア領域の屈折率より小さい屈折率を有するクラッド領域(たとえば14、15、16)を含む半導体構造を含む製品において、前記クラッド領域はドーパント濃度N及びプラズマ角周波数ω<SB>p</SB> を有する半導体材料(17)を含み、Nはドープされた半導体材料が【数1】の実部とk<1の虚数部を有する複素屈折率を有するように選択され、【数2】は半導体材料の高周波格子誘電定数であることを特徴とする製品。
IPC (3件)：
G02B 6/12
, G02F 1/025
, H01S 3/18
G02B 6/12 N
, G02F 1/025
, H01S 3/18
