液晶表示装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-175506
公開番号（公開出願番号）：特開平10-073845
出願日： 1997年07月01日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】低消費電力の液晶表示装置を提供する。【解決手段】液晶表示装置の表示領域に形成される半導体素子又は表示領域を駆動するための駆動回路領域に形成される半導体素子は、第1,第2,第3及び第4の電極と、第2及び第3の電極に接続され互いに分離された一対の一方導電型の半導体層と、これら一対の一方導電型の半導体層に接続された真性半導体層と、この真性半導体層上に形成された他方導電型の半導体層とを有し、第1の電極は真性半導体層上に絶縁膜を介して形成され、第4の電極は真性半導体層上に形成された他方導電型の半導体層上に形成される。

請求項（抜粋）：

少なくとも一方が透明な一対の基板と、この基板に挟持された液晶層を有する液晶表示装置であって、前記一対の基板の一方の基板にはマトリクス状に配置された複数の半導体素子が形成され、前記複数の半導体素子は、第1,第2,第3及び第4の電極と、前記第2及び第3の電極に接続され互いに分離された一対の一方導電型の半導体層と、これら一対の一方導電型の半導体層に接続された真性半導体層と、この真性半導体層上に形成された他方導電型の半導体層とを有し、前記第1の電極は前記真性半導体層上に絶縁膜を介して形成され、前記第4の電極は前記真性半導体層上に形成された他方導電型の半導体層上に形成されることを特徴とする液晶表示装置。

IPC (3件)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/78 612 Z , H01L 29/78 622

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-269491 出願人：カシオ計算機株式会社
特開昭63-208896

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