特許
J-GLOBAL ID:200903037599382034
固体撮像装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
池内 寛幸 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-000376
公開番号(公開出願番号):特開2001-189440
出願日: 2000年01月05日
公開日(公表日): 2001年07月10日
要約:
【要約】【課題】 入射光の一部を受光部に導くための光導波膜を設けることにより、受光部への集光率を向上させた固体撮像装置を提供する。【解決手段】 半導体基板1と、半導体基板1内に形成された受光部3および電荷転送部4と、電荷転送部4を覆い且つ受光部3の少なくとも一部を覆わないように半導体基板1の上方に形成された遮光膜8と、遮光膜8の上方に形成された光導波膜10とを備え、光導波膜10が、半導体基板1側から順に第1層11、第2層12および第3層13が積層してなる多層膜であり、第1層11および第3層13が、第2層12とは異なる屈折率を有し、第1層11が、少なくとも受光部3に対応する部分に開口部を有することとした。
請求項(抜粋):
半導体基板と、前記半導体基板内に形成された受光部と、前記半導体基板の上方に形成された光導波膜とを備え、前記光導波膜が、前記半導体基板側から順に第1層、第2層および第3層が積層してなる多層膜であり、前記第1層および前記第3層が前記第2層とは異なる屈折率を有し、前記第1層が少なくとも前記受光部に対応する部分に開口部を有している固体撮像装置。
IPC (4件):
H01L 27/14
, H01L 27/148
, H01L 31/0232
, H04N 5/335
FI (4件):
H04N 5/335 U
, H01L 27/14 D
, H01L 27/14 B
, H01L 31/02 D
Fターム (28件):
4M118AA01
, 4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA10
, 4M118CA34
, 4M118CA40
, 4M118CB13
, 4M118CB14
, 4M118EA01
, 4M118FA06
, 4M118GB11
, 4M118GC07
, 4M118GD04
, 4M118GD07
, 4M118GD20
, 5C024AA01
, 5C024CA12
, 5C024DA01
, 5C024EA04
, 5C024EA08
, 5C024GA52
, 5F088AA02
, 5F088AB02
, 5F088BA03
, 5F088BB03
, 5F088EA02
, 5F088JA11
, 5F088JA12
引用特許:
審査官引用 (4件)
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特開昭60-189256
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特開昭60-189256
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固体撮像素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-246285
出願人:ソニー株式会社
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固体撮像素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-347449
出願人:シャープ株式会社
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