特許
J-GLOBAL ID:200903037617157353

SOI素子及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 瀬谷 徹 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-365404
公開番号(公開出願番号):特開2000-196103
出願日: 1999年12月22日
公開日(公表日): 2000年07月14日
要約:
【要約】【課題】 動作特性が安定化したSOI素子とその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板、第1、第2コンタクト孔を持つ埋め込み酸化膜及びシリコン層の積層構造からなるSOIウェーハ;素子形成領域を限定してシリコン層に形成した素子分離膜;素子形成領域上に形成したゲートと、ゲート両側の素子形成領域に形成したソース及びドレイン領域と、これら二領域間の素子形成領域に形成したチャネル領域とを含むトランジスタ;埋め込み酸化膜と接する電導層;シリコン層の所定部分に埋め込み酸化膜と接して形成したウェルピックアップ用不純物領域;チャネル領域と電導層を連結して第1コンタクト孔内に形成した第1コンタクト層;及び不純物領域と電導層を連結して第2コンタクト孔内に形成した第2コンタクト層を含む。
請求項(抜粋):
シリコン基板と、第1及び第2コンタクト孔を持つ埋め込み酸化膜と、シリコン層との積層構造からなるSOIウェーハと、素子形成領域が限定されるように、前記シリコン層に形成された素子分離膜と、前記素子分離膜により限定された前記シリコン層の素子形成領域上に形成されたゲートと、前記ゲート両側の素子形成領域に形成されたソース及びドレイン領域と、前記ソース及びドレイン領域間の素子形成領域に形成されたチャンネル領域とを含むトランジスタと、前記埋め込み酸化膜と接する電導層と、前記シリコン層の所定部分に前記埋め込み酸化膜と接するように形成されたウェルピックアップ用不純物領域と、前記トランジスタのチャンネル領域と前記電導層が電気的に連結するように、前記埋め込み酸化膜の第1コンタクト孔内に形成された第1コンタクト層と、前記ウェルピックアップ用不純物領域と前記電導層が電気的に連結するように、前記埋め込み酸化膜の第2コンタクト孔内に形成された第2コンタクト層とを含むことを特徴とするSOI素子。
IPC (2件):
H01L 29/786 ,  H01L 27/12
FI (2件):
H01L 29/78 626 B ,  H01L 27/12 C
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • SIO素子及びその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-145217   出願人:三星電子株式会社
  • 特開平4-068569
  • 特開平3-288471

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