ウエット処理方法および処理装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福森久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-184893
公開番号（公開出願番号）：特開平9-010713
出願日： 1995年06月28日
公開日（公表日）： 1997年01月14日
要約：

【要約】【目的】薬品及び超純水の使用量が少なく、高温プロセスを経ることなく、廃液処理が容易であり、しかもハイドロカーボン除去率が極めて高く、かつ、充分な水素ターミネートを容易に行うことが可能なウエット処理方法及びウエット処理装置を提供すること。【構成】半導体基板、ガラス基板、電子部品およびこれらの製造装置部品等の被処理物を、水中に水素又は水素と微量の希ガスを含有する超純水で処理する方法であって、これに20kHz以上の超音波を照射しながら被処理物をウェット処理することを特徴とするウェット処理方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板、ガラス基板、電子部品およびこれらの製造装置部品等の被処理物を、水中に水素又は水素と微量の希ガスを含有する超純水で処理する方法であって、これに20kHz以上の超音波を照射しながら被処理物をウェット処理することを特徴とするウェット処理方法。

IPC (3件)：

B08B 3/12 , H01L 21/304 341 , H01L 21/304

FI (3件)：

B08B 3/12 A , H01L 21/304 341 T , H01L 21/304 341 M

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭61-073333
特開昭61-073333
特開平2-091922

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