特許
J-GLOBAL ID：200903037623774917
導波路型半導体受光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-112219
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303449
出願日： 1997年04月30日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：
【要約】【課題】 感度が高く、高速動作性に優れ、しかも優れた光-電気変換歪特性を有する導波路型半導体受光素子を提供する。【解決手段】 本導波路型半導体受光素子10は、n-InP基板12と、基板12上に、順次、基板と格子整合してエピタキシャル成長させた、バッファ層(兼下部クラッド層)14、n-光閉じ込め層16、厚さ0.06μm の光吸収層18、p-光閉じ込め層20、p-上部クラッド層22、p-コンタクト層24及びp-バッファ層26からなる半導体層の積層構造とから構成されている。n-光閉じ込め層16の光吸収層18と接する厚さ0.6μm の境界層16a、及び、p-光閉じ込め層20の光吸収層18と接する厚さ0.3μm の境界層20aは、それぞれ、ノンドープ層として構成されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、第1の半導体層と、第1の半導体層上にあって所定波長の光を吸収する第2の半導体層と、第2の半導体層上の第3の半導体層とを有し、かつ第1及び第3の半導体層のエネルギーギャップが第2の半導体層のエネルギーギャップより大きな半導体積層構造の導波路を備え、第2の半導体層に入射した光を上記積層構造で吸収して、受光する導波路型受光素子において、第1及び第3の半導体層を成す半導体層のうち、第2の半導体層と界面を有する所定厚さの境界層が、それぞれ、1x1015cm-3以下の低いキャリア濃度層又はノンドープ層であることを特徴とする導波路型半導体受光素子。
引用特許：
前のページに戻る
