特許
J-GLOBAL ID：200903037624424413
SiO2膜によるガラスのテクスチュアリング
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 研二 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-581701
公開番号（公開出願番号）：特表2002-529937
出願日： 1999年11月08日
公開日（公表日）： 2002年09月10日
要約：
【要約】シリコン薄膜太陽電池をガラス基板(11)上に形成する。前記ガラス基板は形成されたテクスチュアリング層(32)を有し、該テクスチュアリング層は1〜2μmのオーダーの直径を有するテクスチュアリング粒子(34)が混入されたSiO2膜(33)を含む。この粒子によりテクスチュア化された表面(39)が形成される。SiO2膜はテクスチュアリング粒子の平均直径よりも薄い、そのため石英はスピン-オンガラスから突出する。この場合の誘電層はバリヤ層機能を提供するが、前記テクスチュア化された表面(39)と等角な上面(35)を有する別の反射防止コーティング(38)を必要に応じて使用してもよい。図に示されるように、シリコン膜(15)をその後、反射防止コーティング(38)のテクスチュア化された表面(35)上に形成する。シリコン膜の厚さは好ましくは0.5〜2μm(すなわち、SiO2層の表面上に設けられたテクスチュア特徴の寸法と同様の厚さ)である。この方法により製造されたシリコン膜は形成されるテクスチュア化された表面にゆるく適合するけれども、膜の反対面は、少なくとも小さなスケールでは実質的には非平行であり、光は一般にシリコン面に対しある角度でシリコン膜を通過するであろう。より重要なことは、光はしばしば表面(36)に対する垂線に対しかなりの角度でシリコン膜の裏面(図において上面)に当たり、そのためかなりの数の入射に対し、内面全反射が起こる。表面(36)はまた(裏面金属コンタクトなどの)反射材料(40)でコートしてこの面に当たる光の内反射を補助してもよい。
請求項（抜粋）：
ガラス基板またはスーパーストレート上に形成された薄膜シリコン太陽電池内に光閉じ込め構造を形成する方法であって、a)結合マトリクス中に保持されたテクスチュアリング粒子を含むテクスチュアリング層を前記ガラス基板または前記スーパーストレートの表面に形成する工程と、b)テクスチュア化された表面上に厚さが10μm未満のシリコン膜を形成し、前記シリコン膜内に光起電性デバイス構造を形成する工程と、を含む方法。
FI (2件)：
H01L 31/04 H
, H01L 31/04 M
5F051AA03
, 5F051AA05
, 5F051CB30
, 5F051FA02
, 5F051GA03
, 5F051GA16
