特許
J-GLOBAL ID:200903037628293275

透明導電薄膜の形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-326737
公開番号(公開出願番号):特開平11-156990
出願日: 1997年11月27日
公開日(公表日): 1999年06月15日
要約:
【要約】【課題】プラスチック基板もしくはフィルム上に、生産性に寄与する速い成膜速度で、かつ均一な膜厚の形成を可能にする透明導電薄膜の形成方法を提供することにある。【解決手段】プラスチック基板10上に、金属酸化物からなる蒸発材料を蒸発源20とし、該蒸発材料を電子ビームで蒸発さる薄膜形成方法において、前記蒸発された蒸発粒子22を、前記蒸発源20とプラスチック基板10の間に形成されたヘリウムと酸素のプラズマ領域中を通過させ、前記導入されるヘリウムと酸素を、高電圧印可のRFコイル40内側からプラスチック基板10に向けて噴射するように導入することを特徴とする透明導電薄膜の形成方法としたものである。また、前記蒸発材料の粒径が3mm以上で、かつ均一である透明導電薄膜の形成方法としたものである。
請求項(抜粋):
プラスチック基板上に、金属酸化物からなる蒸発材料を蒸発源とし、該蒸発材料を電子ビームで蒸発させて薄膜を形成する方法であって、前記蒸発された蒸発粒子が、前記蒸発源とプラスチック基板の間に形成されたヘリウムと酸素のプラズマ領域中を通過してなることを特徴とする透明導電薄膜の形成方法。
IPC (4件):
B32B 9/00 ,  B32B 7/02 104 ,  C08J 7/04 ,  H01B 13/00 503
FI (4件):
B32B 9/00 A ,  B32B 7/02 104 ,  C08J 7/04 D ,  H01B 13/00 503 B
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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