特許
J-GLOBAL ID:200903037642235210

垂直磁気記録媒体とその製造方法および磁気記憶装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 平木 祐輔
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-143637
公開番号(公開出願番号):特開2002-342909
出願日: 2001年05月14日
公開日(公表日): 2002年11月29日
要約:
【要約】【課題】 1平方インチあたり50ギガビット以上の記録密度で高い媒体S/Nを有する二層垂直磁気記録媒体と、エラーレートの低い、信頼性に優れた磁気記憶装置を提供する。【解決手段】 基板11上に磁区制御層12、非晶質軟磁性下地層13、中間層14、垂直記録層15を順次積層してなる垂直磁気記録媒体において、磁区制御層12を基板側から第一多結晶軟磁性層、不規則系反強磁性層および第二多結晶軟磁性層が積層された三層膜とする。
請求項(抜粋):
基板と、垂直記録層と、前記基板と垂直記録層の間に形成された反強磁性層と、該反強磁性層と垂直記録層の間に形成された非晶質軟磁性層と、該非晶質軟磁性層の基板側に隣接して形成された結晶質軟磁性層とを有することを特徴とする垂直磁気記録媒体。
IPC (5件):
G11B 5/667 ,  G11B 5/65 ,  G11B 5/738 ,  G11B 5/851 ,  G11B 5/852
FI (5件):
G11B 5/667 ,  G11B 5/65 ,  G11B 5/738 ,  G11B 5/851 ,  G11B 5/852 A
Fターム (16件):
5D006CA01 ,  5D006CA03 ,  5D006CA05 ,  5D006DA03 ,  5D006DA08 ,  5D006EA03 ,  5D006EA05 ,  5D006FA09 ,  5D112AA03 ,  5D112AA04 ,  5D112AA24 ,  5D112BD03 ,  5D112BD04 ,  5D112BD05 ,  5D112FA04 ,  5D112FB29
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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