特許

J-GLOBAL ID：200903037647681596

高感度を有する磁気抵抗電流センサ

発明者： サンゴー ジン ,  マーク トーマス マッコーマック ,  アプルバ ロイ ,  ジェームス キャロル ワドリントン
出願人/特許権者： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-319742
公開番号（公開出願番号）：特開平7-209337
出願日： 1994年12月22日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：

【要約】【目的】本発明は高感度を有する磁気抵抗電流センサに関する。【構成】本発明者はコンパクトで高感度電流センサは、フリンジ磁界の磁気経路中に、磁気抵抗材料の層を配置することにより、磁気経路中にエアギャップを有する任意の誘導性要素で作れることを見出した。好ましい実施例において、LaAlO3/Al2O3 基板上のLawCaxMnyOzの磁気抵抗薄膜により、誘導性要素中にDC電流の1-100mV/アンペアの範囲の高感度が得られる。電流センサは非常に少量のパワーを消費し、センサ及び能動デバイス回路間に、望ましい電気的絶縁をもたらす。

請求項（抜粋）：

印加された電流に応答して磁界を発生させるための誘導性要素が含まれ、前記誘導性要素はエアギャップと前記エアギャップに付随したフリンジ磁界を含み、前記フリンジ磁界内に配置された高抵抗率磁気抵抗材料の基体及び磁気抵抗材料の前記基体の抵抗変化をセンシングするための手段を含む誘導性要素中の電流をセンシングするための電流センシングデバイス。

IPC (2件)：

G01R 15/20 ,  H01L 43/08

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 電流検知装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-057893   出願人：株式会社村田製作所
• 特開平4-148869
  
• 磁性半導体酸化薄膜およびその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-072432   出願人：カシオ計算機株式会社
• スピン相互作用素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-219595   出願人：株式会社日立製作所
• 磁気感応素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-255992   出願人：日本セメント株式会社
• 超伝導磁気感応素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-303750   出願人：日本セメント株式会社
• 特開平4-148869