特許

J-GLOBAL ID：200903037648317030

二重仕事関数金属ゲートスタックを備えるCMOS半導体装置

発明者： 丁 炯 硯 ,  李 鍾 鎬 ,  韓 成 基 ,  金 柱 然 ,  朴 廷 ▲ミン▼
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-016502
公開番号（公開出願番号）：特開2007-208260
出願日： 2007年01月26日
公開日（公表日）： 2007年08月16日
要約：

【課題】二重仕事関数金属ゲートスタックを備えるCMOS半導体装置を提供する。【解決手段】CMOS半導体装置は、PMOS及びNMOS装置の仕事関数を独立的に調節できる工程技術を利用して形成された二重仕事関数金属ゲート構造物を備えて、ゲート絶縁膜の信頼性に悪い影響を与えることをかなり低減または除去できる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板上にPMOS及びNMOS装置を備える二重ゲートCMOS装置が形成された半導体基板を備え、 前記PMOS装置は、前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上に形成された第1導電膜、前記第1導電膜上に形成された第2導電膜及び前記第2導電膜上に形成された第3導電膜を備える第1ゲートスタックを備え、 前記NMOS装置は、前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上に形成された第1導電膜、前記第1導電膜上に形成された第2導電膜を備える第2ゲートスタックを備え、 前記第1及び第2ゲートスタックの前記第2導電膜は、互いに異なる導電物質で形成されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L27/08 321D ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/58 G ,  H01L29/78 301G

Fターム (64件)：

4M104AA01 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104CC05 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH20 ,  5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BB14 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BG12 ,  5F048BG13 ,  5F048DA23 ,  5F140AA06 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE17 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF20 ,  5F140BF21 ,  5F140BF22 ,  5F140BF24 ,  5F140BF25 ,  5F140BF27 ,  5F140BF28 ,  5F140BF30 ,  5F140BF35 ,  5F140BG08 ,  5F140BG39 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-032595   出願人：NECエレクトロニクス株式会社