特許
J-GLOBAL ID:200903091805630923

半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 松山 允之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-032595
公開番号(公開出願番号):特開2005-223289
出願日: 2004年02月09日
公開日(公表日): 2005年08月18日
要約:
【課題】 膜種の異なる高品質のゲート絶縁膜を同じ半導体基板表面に高い再現性の下に簡便にしかも高精度に形成する。【解決手段】 シリコン基板1表面部に素子分離領域2を形成し基板表面にシリコン酸化膜3を形成し、プラズマ窒化法でシリコン酸化膜3表面を改質し窒化層4とする。そして、レジストマスク5をエッチングマスクとしてシリコン酸化膜3を選択的に除去しその領域のシリコン基板1表面を露出させる。続いて、レジストマスク5を除去しシリコン基板1表面の洗浄を行い、この洗浄工程で生成する自然酸化膜6を希弗酸でウェットエッチングした後に、NOガス等の雰囲気中でシリコン基板1表面を熱酸窒化し上記シリコン基板1の露出領域にシリコン酸窒化膜を形成し第1のゲート絶縁膜とする。そして、前記シリコン酸化膜3を第2のゲート絶縁膜とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
膜種の異なるゲート絶縁膜を同じ半導体基板上に有し絶縁ゲート電界効果トランジスタ(MISFET)を含んで成る半導体装置の製造方法であって、 前記半導体基板表面に第1の酸化膜を形成する工程と、 前記第1の酸化膜に窒化処理を施し前記第1の酸化膜表面を弗酸耐性のある窒素含有層に改質する工程と、 前記窒素含有層を形成後、第1のゲート絶縁膜の形成予定領域で前記第1の酸化膜を選択的に除去する工程と、 第2のゲート絶縁膜の形成予定領域の前記第1の酸化膜を前記窒素含有層により弗酸系化学薬液のエッチングから保護しながら、前記第1の酸化膜の選択的な除去で露出した前記半導体基板表面に生成する自然酸化膜を前記弗酸系化学薬液で除去する工程と、 前記自然酸化膜を除去した前記半導体基板上に第2の酸化膜を形成する工程と、を備え、 前記第2の酸化膜を有する第1のゲート絶縁膜を形成し、前記第1の酸化膜を有する第2のゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法。
IPC (2件):
H01L21/8234 ,  H01L27/088
FI (1件):
H01L27/08 102C
Fターム (21件):
5F048AA07 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA15 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB16 ,  5F048BB17 ,  5F048BB18 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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