特許

J-GLOBAL ID：200903037664385933

半導体基板配線のバリア層

発明者： 小榑 直明 ,  井上 裕章 ,  江澤 弘和 ,  宮田 雅弘
出願人/特許権者： 株式会社荏原製作所 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 熊谷 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-270492
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097444
出願日： 1997年09月17日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：

【要約】【課題】 配線材料との接合が強く、且つ比抵抗(ρ)が低い材料を用い、絶縁膜の間で生じる相互拡散を防止できる半導体基板配線のバリア層を提供すること。【解決手段】 半導体基板に設けた配線層と該配線層に隣接する絶縁膜との間に設けられ、該配線層12と該SiO2の絶縁膜10の間で生じる相互拡散を防止するバリア層11であって、該バリア層11はB(ボロン)を含有するNi(ニッケル)合金材からなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板に設けた配線と該配線に隣接する絶縁膜との間に設けられ、該配線と該絶縁膜の間で生じる相互拡散を防止するバリア層であって、前記バリア層はB(ボロン)を含有するNi(ニッケル)合金材からなることを特徴とする半導体基板配線のバリア層。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 21/88 M ,  H01L 21/28 301 Z

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 配線の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-118602   出願人：富士通株式会社
• 特開平4-218919
  

審査官引用 (2件)

• 配線の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-118602   出願人：富士通株式会社
• 特開平4-218919