配線の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野河信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-118602
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316236
出願日： 1995年05月17日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】寸法精度の高い配線を形成する。エッチングマスクとしてレジストを使用しないので、レジストの残骸によるエッチング速度が低下せず、大きなエッチング速度を得ることを目的とする。【構成】本発明の配線の形成方法は、基板上に形成された金属膜を、無機系絶縁膜をマスクとして、SiI4 及びNH3 の混合ガスプラズマによって反応性ドライエッチングして配線を形成することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された金属膜を、無機系絶縁膜をマスクとして、SiI4 及びNH3 の混合ガスプラズマによって反応性ドライエッチングして配線を形成することを特徴とする配線の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3213 , C23F 4/00 , H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/88 D , C23F 4/00 E , H01L 21/302 F

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平4-329640
特開平4-094121
特開平4-322425

全件表示

前のページに戻る