特許

J-GLOBAL ID：200903037669764363

多波長量子ドットレーザ素子

発明者： 林國瑞 ,  林坤鋒 ,  ▲頼▼志銘
出願人/特許権者： 財団法人工業技術研究院
代理人 (1件)： 山口 朔生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-137640
公開番号（公開出願番号）：特開2008-172188
出願日： 2007年05月24日
公開日（公表日）： 2008年07月24日
要約：

【課題】多波長量子ドットレーザ素子の提供。【解決手段】異なる発光波長を有する量子ドット活性領域の垂直方向の積層体が使用され、各量子ドット活性領域の厚さ、材料組成、および、量子ドットサイズが変調されて様々なレーザ発振状態が形成される。量子ドットレーザ素子に印加される電流が発振開始電流条件よりも大きい場合、異なる波長を有するレーザが各量子ドット活性領域で同時に得られ、それにより、多波長量子ドットレーザ素子の適用が達成される。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

多波長量子ドットレーザ素子であって、 第1の半導体層と、 第2の半導体層と、 前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間に配置され、複数の量子ドット活性領域を有する活性領域であって、前記量子ドット活性領域それぞれが対応する数の被覆層を有する複数の量子ドット層を備え、前記各被覆層が前記各量子ドット層を被覆する活性領域と、を備え、 印加電流が発振開始電流よりも大きい場合、前記量子ドット活性領域は異なる波長の複数のレーザ光を同時に生成する、多波長量子ドットレーザ素子。

IPC (1件)：

H01S 5/343

FI (1件)：

H01S5/343

Fターム (11件)：

5F173AA08 ,  5F173AF09 ,  5F173AF12 ,  5F173AH03 ,  5F173AH04 ,  5F173AH06 ,  5F173AH22 ,  5F173AH49 ,  5F173AP05 ,  5F173AP09 ,  5F173AR07

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-213384
  
• 量子ドットの形成方法、それを用いた半導体発光素子の製造方法およびその方法により形成された半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-087952   出願人：株式会社国際電気通信基礎技術研究所
• 多波長発振光半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-147560   出願人：富士通株式会社