特許
J-GLOBAL ID：200903041160300047
量子ドットの形成方法、それを用いた半導体発光素子の製造方法およびその方法により形成された半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
松山 隆夫
, 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-087952
公開番号（公開出願番号）：特開2006-269886
出願日： 2005年03月25日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：
【課題】 安価な基板上に作製可能であり、発光波長の長波長化が可能な半導体発光素子に用いられる量子ドットの形成方法を提供する。【解決手段】 GaAsからなるクラッド層5に、砒素(As)およびインジウム(In)を連続供給して1.9モノレイヤーのInAs膜600を結晶成長させ、InAs膜600の表面にグレイン610を形成する(c1,c2)。その後、Inを間欠供給してInAsからなる量子ドット611を形成する(c3)。この場合、Inの供給を停止する停止時間を5〜25秒の範囲に設定し、AsおよびInを供給する供給時間を1秒に設定する。【選択図】 図7
請求項（抜粋）：
半導体の表面に複数の材料を供給して膜を成長させて量子ドットを形成する量子ドットの形成方法であって、
前記膜の膜厚が前記膜に歪が生じる臨界膜厚以上になるまで前記複数の材料を前記半導体の表面に連続して供給する第1のステップと、
前記第1のステップの後、前記複数の材料の少なくとも1つの材料の停止時間を前記少なくとも1つの材料の供給時間よりも長くして前記少なくとも1つの材料を間欠的に供給する第2のステップとを備える量子ドットの形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (16件)：
5F045AA05
, 5F045AB09
, 5F045AD09
, 5F045AE09
, 5F045AF04
, 5F045BB16
, 5F045CA12
, 5F045DA56
, 5F173AF09
, 5F173AG12
, 5F173AH03
, 5F173AP10
, 5F173AQ15
, 5F173AQ16
, 5F173AQ20
, 5F173AR02
