特許
J-GLOBAL ID：200903037676540764
改善された光収量を有する発光ダイオード
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中平 治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-293067
公開番号（公開出願番号）：特開平9-116190
出願日： 1996年10月01日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：
【要約】【課題】 従来の技術による発光ダイオードにおいて、ダイオード内において発生される放射の出力結合を改善することによって収量を高めるが、その際、従来の技術における欠点を回避する。【解決手段】 半導体基板(1)上に配置されかつ光放射に適したエピタキシャル層系列(2,3)を有する半導体基板(1)からなり、この層系列の表面(4)上に少なくとも部分的に接触層構造(5,6,7)が配置されている、発光ダイオードにおいて、光収量を高めるためにエピタキシャル層系列(2,3)の表面(4)が、完全につや消しにされており、かつ接触層構造(5,6,7)が、つや消しにされた表面(4)上に配置されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板(1)上に配置されかつ光放射に適したエピタキシャル層系列(2,3)を有する半導体基板(1)からなり、この層系列の表面(4)上に少なくとも部分的に接触層構造(5,6,7)が配置されている、発光ダイオードにおいて、・光収量を高めるためにエピタキシャル層系列(2,3)の表面(4)が、完全につや消しにされており、かつ・接触層構造(5,6,7)が、つや消しにされた表面(4)上に配置されていることを特徴とする、発光ダイオード。
引用特許：
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