半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-041098
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246592
出願日： 2001年02月19日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】信頼性の高い半導体装置を提供することにある。【解決手段】シリコン基板の一主面側に、形成された酸化ジルコニウムまたは酸化ハフニウムを主構成材料とするゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に接触して形成されたゲート電極膜とを備えた半導体装置において、前記ゲート絶縁膜に酸素拡散を防止する添加元素を含有させる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の一主面側に形成された酸化ジルコニウムを主構成材料とするゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極膜とを備え、前記ゲート絶縁膜がハフニウムを0.04at.%以上12at.%以下の濃度で含有することを特徴とする半導体装置。

IPC (13件)：

H01L 29/78 , H01L 21/28 301 , H01L 21/28 , H01L 21/316 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/105 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 29/43 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (10件)：

H01L 21/28 301 A , H01L 21/28 301 S , H01L 21/316 X , H01L 29/78 301 G , H01L 27/04 C , H01L 27/10 444 B , H01L 27/10 621 C , H01L 27/10 651 , H01L 29/62 G , H01L 29/78 371

Fターム (75件)：

4M104BB01 , 4M104BB20 , 4M104CC05 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104FF13 , 5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038EZ20 , 5F058BA01 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BF02 , 5F058BF12 , 5F058BJ10 , 5F083AD01 , 5F083AD24 , 5F083AD48 , 5F083FR02 , 5F083GA06 , 5F083GA25 , 5F083JA02 , 5F083JA12 , 5F083JA35 , 5F083JA39 , 5F083JA56 , 5F083MA05 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA20 , 5F083PR33 , 5F101BA44 , 5F101BA62 , 5F101BB08 , 5F140AA06 , 5F140AA23 , 5F140AA24 , 5F140AB01 , 5F140AC32 , 5F140AC33 , 5F140BA01 , 5F140BA20 , 5F140BD01 , 5F140BD02 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD11 , 5F140BD17 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF08 , 5F140BF11 , 5F140BF17 , 5F140BF20 , 5F140BF21 , 5F140BF27 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BJ27 , 5F140CA02 , 5F140CA06 , 5F140CC02 , 5F140CC03 , 5F140CC07 , 5F140CC08 , 5F140CC11 , 5F140CC12 , 5F140CC16 , 5F140DB01 , 5F140DB05

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平3-074878
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-362704 出願人：株式会社東芝

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