特許

J-GLOBAL ID：200903037693387597

レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

発明者： 水谷 一良
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-272233
公開番号（公開出願番号）：特開2007-086175
出願日： 2005年09月20日
公開日（公表日）： 2007年04月05日
要約：

【課題】IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにはその他のフォトアプリケーションのリソグラフィー工程に使用されるレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法であって、液浸露光によるパターン形成において、表面ラフネスの劣化が改良され、発生酸の液浸液への溶出が低減されたレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物及び(B)少なくとも1つの脂環構造を有する繰り返し単位を有する、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂を含有するレジスト組成物であって、(B)成分の樹脂が、その主鎖末端にパーフルオロアルキル基又はSi原子を有する基を有する樹脂であるレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物及び(B)少なくとも1つの脂環構造を有する繰り返し単位を有する、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂を含有するレジスト組成物であって、(B)成分の樹脂が、その主鎖末端にパーフルオロアルキル基又はSi原子を有する基を有することを特徴とするレジスト組成物。

IPC (4件)：

G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  C08F 220/18 ,  C08F 220/28

FI (4件)：

G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R ,  C08F220/18 ,  C08F220/28

Fターム (29件)：

2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025CB34 ,  2H025CB41 ,  2H025CC17 ,  4J011NA25 ,  4J011NA28 ,  4J011NA30 ,  4J015AA03 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA02P ,  4J100BA03R ,  4J100BA11Q ,  4J100BA15P ,  4J100BC09P ,  4J100BC09R ,  4J100BC53Q ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100FA03 ,  4J100FA04 ,  4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭57-153433号公報
  
• パターン形成方法及びその露光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-008136   出願人：株式会社日立製作所
• 液浸型露光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-121757   出願人：株式会社ニコン