特許
J-GLOBAL ID:200903037701760278
半導体装置の製造方法
発明者:
,
,
,
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (2件):
矢作 和行
, 野々部 泰平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-127332
公開番号(公開出願番号):特開2008-279567
出願日: 2007年05月11日
公開日(公表日): 2008年11月20日
要約:
【課題】ダイシング時に保護キャップに作用する応力を低減し、且つ、構造体に対する保護キャップの信頼性の低下を抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】表面にパッドが複数形成され、パッド形成面側に露出する構造体が複数形成された半導体ウェハと、熱剥離層を介して、支持基板の一面上にパッドを露出させつつ構造体を保護するための保護キャップが互いに離間して複数固定されたシートを準備する。支持基板としては半導体ウェハと略同一のものを用いる。次に、半導体ウェハ及び保護キャップのいずれかに接着剤を塗布し、保護キャップが対応する構造体を覆いつつパッドを露出するようように位置決めした状態で、加圧・加熱して半導体ウェハ上に保護キャップを転写し、半導体ウェハを、互いに隣接する保護キャップの間の部位でダイシングして半導体装置とする。【選択図】図9
請求項(抜粋):
表面に外部接続端子としてのパッドが複数形成され、パッド形成面側に露出する構造体として少なくとも可動構造体が複数形成された半導体ウェハを準備するウェハ準備工程と、
加熱によって接着力が低下する熱剥離層を介して、支持基板の一面上に、前記パッドを露出させつつ前記構造体を保護するための保護キャップが互いに離間して複数固定されたシートを準備するシート準備工程と、
前記半導体ウェハのパッド形成面及び前記保護キャップの支持基板との対向面の裏面のいずれかに耐熱性を有する接着剤を塗布し、前記保護キャップが対応する前記構造体を覆うように前記半導体ウェハと前記支持基板とを位置決めした状態で、加圧しつつ加熱して前記半導体ウェハ上に前記保護キャップを貼り合わせるとともに前記支持基板を除去する転写工程と、
前記保護キャップを貼り合わせた前記半導体ウェハを、互いに隣接する前記保護キャップの間の部位でダイシングしてチップ化するダイシング工程と、を備え、
前記支持基板として、前記半導体ウェハと前記保護キャップとの積層方向に垂直な方向の線膨張係数が、前記半導体ウェハと略同一のものを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (11件):
3C081AA18
, 3C081BA30
, 3C081BA32
, 3C081BA42
, 3C081CA05
, 3C081CA32
, 3C081CA42
, 3C081DA03
, 3C081DA42
, 3C081EA02
, 3C081EA03
引用特許:
前のページに戻る