特許
J-GLOBAL ID:200903037710103344
低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
鈴木 俊一郎
, 牧村 浩次
, 高畑 ちより
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-104569
公開番号(公開出願番号):特開2008-260939
出願日: 2008年04月14日
公開日(公表日): 2008年10月30日
要約:
【課題】誘電率が3以下と小さく、しかもマイクロフォトリソグラフィ加工時の酸素プラズマ耐性に優れるとともに機械的強度、耐アルカリ性などの耐薬品性、耐クラック性に優れた絶縁膜を形成できるような低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液、およびこのような低誘電率シリカ系被膜が形成された基材を提供する。【解決手段】(i)アルコキシシランの1種または2種以上を加水分解、または加水分解後、熟成して得られたシリカ微粒子の少なくとも一部の表面に、フェニル基含有アルコキシシランまたはフェニル基含有クロロシランの加水分解物を結合させて得られたフェニル基を有するシリカ系微粒子と、(ii)アルコキシシランおよび/またはハロゲン化シランの加水分解物と、ポリシラザンとの反応物であるポリシロキサザンとの反応物を含有することを特徴とする低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液。【選択図】なし
請求項(抜粋):
(i)下記一般式(I)で示されるアルコキシシランの1種または2種以上を加水分解、または加水分解後、熟成して得られたシリカ微粒子の少なくとも一部の表面に、フェニル基含有アルコキシシランまたはフェニル基含有クロロシランの加水分解物を結合させて得られたフェニル基を有するシリカ系微粒子と、
(ii)下記一般式(I)で示されるアルコキシシランおよび/または下記一般式(II)で示され
るハロゲン化シランの加水分解物と、下記一般式(III)で示されるポリシラザンとの反応
物であるポリシロキサザンとの反応物を含有することを特徴とする低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液。
XnSi(OR1)4-n (I)
XnSiX'4-n (II)
IPC (6件):
C09D 183/00
, C09D 183/08
, C09D 183/16
, C09D 5/25
, H01L 21/312
, H01L 21/316
FI (6件):
C09D183/00
, C09D183/08
, C09D183/16
, C09D5/25
, H01L21/312 C
, H01L21/316 B
Fターム (44件):
4J038DL001
, 4J038DL021
, 4J038DL031
, 4J038DL072
, 4J038DL172
, 4J038HA216
, 4J038HA226
, 4J038HA266
, 4J038HA506
, 4J038JA17
, 4J038JA25
, 4J038JA32
, 4J038JA35
, 4J038JA55
, 4J038JB01
, 4J038JC35
, 4J038KA03
, 4J038KA06
, 4J038KA08
, 4J038MA09
, 4J038NA04
, 4J038NA11
, 4J038NA12
, 4J038NA17
, 4J038NA21
, 4J038PA19
, 4J038PA20
, 4J038PA21
, 4J038PB09
, 4J038PC03
, 5F058AA10
, 5F058AC03
, 5F058AD05
, 5F058AF04
, 5F058AG01
, 5F058AH02
, 5F058BA20
, 5F058BC02
, 5F058BC04
, 5F058BD04
, 5F058BD06
, 5F058BF46
, 5F058BH04
, 5F058BJ02
引用特許:
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