特許

J-GLOBAL ID：200903086663085872

低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液および低誘電率被膜付基材

発明者： 江 上 美 紀 ,  中 島 昭 ,  小 松 通 郎
出願人/特許権者： 触媒化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-299684
公開番号（公開出願番号）：特開平9-315812
出願日： 1996年10月24日
公開日（公表日）： 1997年12月09日
要約：

【要約】【課題】 比誘電率が3以下と小さく、被塗布面との密着性、機械的強度、耐アルカリ性などの耐薬品性に優れ、耐クラック性に優れた絶縁膜を形成でき、被塗布面の凹凸を高度に平坦化し得るような低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液および低誘電率シリカ系被膜が形成された基材を提供する。【解決手段】 低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液は、シリカ系微粒子、および下記一般式で示されるアルコキシシランおよび/または下記一般式で示されるハロゲン化シランまたはこれらの加水分解物、との反応物を含有する。XnSi(OR)4-n またはXnSiX'4-n (Xは、H、Fまたは炭素数1〜8のアルキル基、アリール基またはビニル基を表し、Rは、Hまたは炭素数1〜8のアルキル基、アリール基またはビニル基を表し、X'はハロゲン原子をあらわす。また、nは0〜3の整数である。)

請求項（抜粋）：

シリカ微粒子、および下記一般式[I]で示されるアルコキシシランおよび/または下記一般式[II]で示されるハロゲン化シランまたはこれらの加水分解物、との反応物を含有することを特徴とする低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液。XnSi(OR)4-n [I]XnSiX'4-n [II](Xは、H、Fまたは炭素数1〜8のアルキル基、アリール基またはビニル基を表し、Rは、Hまたは炭素数1〜8のアルキル基、アリール基またはビニル基を表し、X'はハロゲン原子をあらわす。また、nは0〜3の整数である。)

IPC (3件)：

C01B 33/12 ,  C09D 5/25 PQX ,  H05K 3/28

FI (3件)：

C01B 33/12 C ,  C09D 5/25 PQX ,  H05K 3/28 A

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-211699   出願人：触媒化成工業株式会社, 富士通株式会社
• 特開平3-263476
  

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-211699   出願人：触媒化成工業株式会社, 富士通株式会社
• 特開平3-263476
  
• 特開平3-263476