特許

J-GLOBAL ID：200903037725237290

近接場露光方法及びこれを用いた素子の製造方法

発明者： 水谷 夏彦 ,  黒田 亮
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (2件)： 近島 一夫 ,  田北 嵩晴
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-194820
公開番号（公開出願番号）：特開2006-019446
出願日： 2004年06月30日
公開日（公表日）： 2006年01月19日
要約：

【課題】 フォトマスクを使用した近接場露光において、各スリットにおける近接場露光の強度分布が同等となるようにする。【解決手段】 ポジ型フォトレジストを使用したときに光潜像As,Bs,Cs、及びネガ型フォトレジストを使用したときの光潜像Ds,Es,Fsと、定在波の節から入射界面への距離(レジスト厚さ)との間には相関関係がある。そこで、所望の形状の光潜像、すなわち光強度分布を得たいときには、この相関関係に基づいて、レジスト厚さを適宜な値に設定する。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

露光光の波長以下の開口幅を有する複数の微小開口を備えた遮光膜を、基板の表面に形成されたフォトレジスト層に密着させ、露光光源から露光光を照射して前記遮光膜の開口パターンを前記フォトレジスト層に転写する近接場露光方法であって、 前記フォトレジスト層に形成される定在波の節から前記遮光膜までの距離と、前記フォトレジスト層における前記遮光膜近傍の近接場光の光強度分布との相関関係に基づいて、所望の光強度分布とすべく、前記定在波の節から前記遮光膜までの距離を決定する、 ことを特徴とする近接場露光方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20

FI (2件)：

H01L21/30 502D ,  G03F7/20 521

Fターム (6件)：

5F046BA01 ,  5F046BA10 ,  5F046CA02 ,  5F046CB17 ,  5F046DA01 ,  5F046DD06

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 微細凹凸構造作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-182296   出願人：科学技術振興事業団