特許
J-GLOBAL ID：200903037735171980
半導体結晶の製造方法及び半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-090884
公開番号（公開出願番号）：特開2004-297010
出願日： 2003年03月28日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：
【課題】ボイドのない良質な半導体結晶を製造する際の半導体の結晶成長工程を従来よりも簡素化させたり、短期化させたりすること。【解決手段】半導体結晶2は所謂ドーム型の断面形状を有するELOマスク3がマスキングされた結晶成長基板1の結晶成長面1a上に成長したものであり、転位4はELOマスク3の上面略中央から半導体結晶2の結晶成長面2aまで伸びている。例えばこの様にして、ELOマスク3の側壁に傾斜面を設けることにより、ボイドがELOマスク3の上方に形成され難くなり、転位4が伸び始める最初の出発点付近におけるボイドの生成を完全に抑止することも可能である。これは、半導体結晶2の成長に伴って半導体結晶2の結晶成長面2aが結晶成長基板1の結晶成長面1a付近から上方に移動する間にも、半導体結晶2はELOマスク3の傾斜面付近でこの傾斜面に沿って横方向にも成長できるためである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体が結晶成長する結晶成長面上にELOマスクを形成し、半導体結晶の横方向成長作用を利用して製造される半導体発光素子において、
前記ELOマスクは、結晶成長基板の結晶成長面上に形成されており、
前記ELOマスクの側壁の少なくとも一部に、前記結晶成長基板の前記結晶成長面に対して斜めに傾いた傾斜面を設けることにより、前記ELOマスクの上方においても略隙間なく前記半導体結晶が形成されている
ことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (13件)：
5F041AA40
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F045AA04
, 5F045AB17
, 5F045AC08
, 5F045AF09
, 5F045BB12
, 5F045BB19
, 5F045DB01
