特許
J-GLOBAL ID：200903037740259942

半導体集積回路におけるインダクタンスの計算方法

発明者：
黒川 敦

黒川 敦 について

, 
増田 弘生

増田 弘生 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体理工学研究センター

株式会社半導体理工学研究センター について


代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  坪井 淳 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-306031
公開番号（公開出願番号）：特開2004-145379
出願日： 2002年10月21日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：
【課題】解析式を用いて、大規模LSIの配線寄生素子であるインダクタンスを計算することにより、実用上の精度を保ちながら、高速な処理時間を実現する。【解決手段】半導体集積回路におけるインダクタンスの計算方法であって、配線のプロセス構造とレイアウトデータから、指定された領域内を対象として、配線の接続と配線の構造を認識する工程と、配線の接続と配線の構造に関して、所定の分割箇所及び指定された配線長さに基づいて配線を複数のセグメントに分割する工程と、分割された各2つのセグメントについて両者間の関係を求める工程と、各2つのセグメントの関係に基づいて、各セグメントの部分自己インダクタンスを、配線断面の幾何学的平均距離(GMD)で近似した自己インダクタンスの式を用いて計算するとともに、各2つのセグメント間の部分相互インダクタンスを相互インダクタンスの式を用いて計算する工程とを具備する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体集積回路におけるインダクタンスの計算方法であって、 配線のプロセス構造とレイアウトデータから、指定された領域内を対象として、配線の接続と配線の構造を認識する工程と、 認識された配線の接続と配線の構造に関して、所定の分割箇所及び指定された配線長さに基づいて前記配線を複数のセグメントに分割する工程と、 分割された各2つのセグメントについて両者間の関係を求める工程と、 求めた各2つのセグメントの関係に基づいて、各セグメントの部分自己インダクタンスを、配線断面の幾何学的平均距離(GMD)で近似した自己インダクタンスの式を用いて計算するとともに、各2つのセグメント間の部分相互インダクタンスを相互インダクタンスの式を用いて計算する工程と、 を具備することを特徴とするインダクタンスの計算方法。
IPC (4件)：
G06F17/50 ,  H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04
FI (5件)：
G06F17/50 666L ,  G06F17/50 668M ,  H01L21/82 W ,  H01L21/82 T ,  H01L27/04 L
Fターム (9件)：
5B046AA08 ,  5B046BA04 ,  5B046JA01 ,  5F038AZ05 ,  5F038EZ10 ,  5F038EZ20 ,  5F064EE43 ,  5F064HH06 ,  5F064HH09
引用特許：
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM