特許

J-GLOBAL ID：200903037746508510

放熱性基板の製造方法

発明者： 中村 和史 ,  早坂 公郎 ,  清水 義博
出願人/特許権者： 秩父小野田株式会社 ,  加美電子工業株式会社 ,  株式会社ケディカ
代理人 (1件)： 大家 邦久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-073926
公開番号（公開出願番号）：特開平9-266374
出願日： 1996年03月28日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】【課題】 放熱性に優れた電気基板を容易に製造できる方法を提供する。【解決手段】 アルミニウム基材の表層部を、蓚酸浴またはスルファミン酸浴の何れかで陽極酸化処理を施すことにより、或いは、燐酸浴で陽極酸化処理した後に蓚酸浴、スルファミン酸浴、硼酸浴の何れかで再度陽極酸化処理を施すことにより、基材表面に開口孔端を有する多孔質層と該多孔質層下に位置し前記孔が存在しないバリアー層とからなる酸化アルミニウムの絶縁層を生成せしめ、次いで該絶縁層上に無電解めっき法により電極ないし電気回路を形成することを特徴とする放熱性基板の製造方法。

請求項（抜粋）：

アルミニウム基材の表層部を、蓚酸浴又はスルファミン酸浴の何れかで陽極酸化処理を施すことにより、基材表面に開口孔端を有する多孔質層と該多孔質層下に位置し前記孔が存在しないバリアー層とからなる酸化アルミニウムの絶縁層を生成せしめ、次いで該絶縁層上に無電解めっき法により電極ないし電気回路を形成することを特徴とする放熱性基板の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体用アルミニウム基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-302482   出願人：昭和アルミニウム株式会社
• 特開昭58-074091
  
• プリント配線板の基板表面処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-345562   出願人：横浜ゴム株式会社
• 特開昭58-074091