特許
J-GLOBAL ID：200903037747214642
ITO焼結体の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鴨田 朝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-246728
公開番号（公開出願番号）：特開平8-085867
出願日： 1994年09月16日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：
【要約】【目的】 基板温度が低い条件においても比抵抗値の良好なITO膜が安定して成膜できるITO焼結体を提供する。【構成】 酸化インジウムおよび酸化錫からなる粉末を成形し、焼結を行うITO焼結体の製造方法において、焼結過程中の雰囲気を、インジウム酸化物および錫酸化物の少なくとも一方を主とする蒸気ガス雰囲気中にて焼結を行う。
請求項（抜粋）：
酸化インジウムおよび酸化錫からなる粉末を成形した成形体を焼結するITO焼結体の製造方法において、焼結過程中の雰囲気を、錫酸化物成分を含む蒸気ガス雰囲気中にて焼結を行うことを特徴とするITO焼結体の製造方法。
IPC (3件)：
C23C 14/34
, C23C 14/35
, H01B 13/00 503
