特許
J-GLOBAL ID：200903037785470067
トランス素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
布施 行夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-243292
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083717
出願日： 1994年09月12日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：
【要約】【目的】 集積化が可能であって、小型化や製造が容易なトランス素子を提供すること。【構成】 トランス素子1は、半導体基板10上の隣接した位置に形成された一次導体12および二次導体14と、これらの渦巻き中心を通るように環状に形成された磁性体16とを含んで構成されている。磁性体16によって磁路が形成されて、一次導体12と二次導体14とが磁気結合される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にほぼ平面状に形成された渦巻き形状の一次導体と、前記半導体基板上であって前記一次導体に隣接する位置にほぼ平面上に形成された渦巻き形状の二次導体と、前記一次導体および二次導体の各渦巻き中心を貫通するように環状に形成された磁性体と、を備えることを特徴とするトランス素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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