特許
J-GLOBAL ID:200903037798903647
ガス噴射ヘッド
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
渡邉 勇 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-057727
公開番号(公開出願番号):特開2000-313961
出願日: 2000年03月02日
公開日(公表日): 2000年11月14日
要約:
【要約】【課題】 例えば2種以上の成膜原料を使用して基板に成膜する際に、これらの原料を成膜室に安定的に供給しつつ、成膜速度を高めることができるガス噴射ヘッドを提供する【解決手段】 原料ガスを含む2種以上のガスを個別に導入し、これらのガスを被処理基板に向けて噴射するためのガス噴射ヘッド20において、前記少なくとも2種のガスを個別に導く少なくとも2つのガス通路66,70と、前記各ガス通路66,70内を流れるガスを個別に温度制御または維持する少なくとも2つの温度制御機構とを有する。
請求項(抜粋):
原料ガスを含む2種以上のガスを個別に導入し、これらのガスを被処理基板に向けて噴射するためのガス噴射ヘッドにおいて、前記少なくとも2種のガスを個別に導く少なくとも2つのガス通路と、前記各ガス通路内を流れるガスを個別に温度制御または維持する少なくとも2つの温度制御機構とを有することを特徴とするガス噴射ヘッド。
IPC (5件):
C23C 16/455
, H01L 21/285
, H01L 21/31
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
FI (4件):
C23C 16/455
, H01L 21/285 C
, H01L 21/31 B
, H01L 27/10 651
引用特許:
審査官引用 (4件)
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特開平3-122281
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薄膜気相成長装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-153944
出願人:株式会社荏原製作所
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特開平3-122281
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