特許
J-GLOBAL ID：200903037823939554

固体撮像装置

発明者：
江崎 孝之

江崎 孝之 について

, 
平山 照峰

平山 照峰 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-028353
公開番号（公開出願番号）：特開2005-223084
出願日： 2004年02月04日
公開日（公表日）： 2005年08月18日
要約：
【課題】 本発明は、飽和電荷量(Qs)の低下や感度の低下をさせるとこなく、画素サイズの微細化を可能にする固体撮像装置を提供するものである。【解決手段】 本発明に係る固体撮像装置1は、フォトダイオード3とトランジスタからなる画素20を半導体基板2に形成し、その画素20を構成するトランジスタを半導体基板の表面に形成すると共に、フォトダイオード3の高濃度領域間で形成されるpn接合部を半導体基板2の内部に設け、かつ、このフォトダイオード3のpn接合部の一部を、半導体基板2表面の形成されたトランジスタの下部に延在するように形成することを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
フォトダイオードとトランジスタからなる画素が半導体基板に形成され、 前記トランジスタが前記半導体基板の表面に形成され、 前記フォトダイオードの高濃度領域間で形成されるpn接合部が前記半導体基板の内部に在り、該フォトダイオードの前記pn接合部の一部が、半導体基板表面の形成された前記トランジスタの下部に延在するように形成されている ことを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件)：
H01L27/146 ,  H04N5/335
FI (2件)：
H01L27/14 A ,  H04N5/335 E
Fターム (20件)：
4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118EA03 ,  4M118EA07 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA08 ,  4M118FA33 ,  4M118FA42 ,  4M118GA02 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  5C024CX41 ,  5C024CX43 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GY31 ,  5C024HX01 ,  5C024HX40 ,  5C024HX41
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM