特許
J-GLOBAL ID：200903018576352290

X-Yアドレス型固体撮像素子およびその製造方法

発明者：
鈴木 亮司

鈴木 亮司 について

, 
馬渕 圭司

馬渕 圭司 について

, 
森 智則

森 智則 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-210270
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031785
出願日： 2001年07月11日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：
【要約】【課題】 配線層を通してフォトダイオードに入射光を取り込む画素構造では、マイクロレンズによって集光される光の一部が配線によって跳ねられてしまう。【解決手段】 CMOSイメージセンサに代表されるX-Yアドレス型固体撮像素子において、フォトダイオード37が形成されるシリコン層31の一方の面側に配線層38を形成し、シリコン層31の他方の面側、即ち配線層38と反対の面(裏面)側から可視光を取り込む裏面受光型の画素構造とし、受光面を考慮した配線を不要とし、画素の配線の自由度を高める。
請求項（抜粋）：
光電変換素子で光電変換された信号電荷を電気信号に変換して出力する能動素子を含む単位画素が行列状に配置されてなるX-Yアドレス型固体撮像素子であって、前記光電変換素子が形成される素子層に対してその一方の面側に、前記能動素子に対して配線をなす配線層を有し、入射光を前記素子層の他方の面側から前記光電変換素子に取り込むことを特徴とするX-Yアドレス型固体撮像素子。
IPC (3件)：
H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335
FI (3件)：
H04N 5/335 E ,  H01L 27/14 A ,  H01L 31/10 A
Fターム (35件)：
4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118DD04 ,  4M118DD10 ,  4M118DD12 ,  4M118EA20 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33 ,  4M118FA42 ,  4M118GA02 ,  4M118GB11 ,  4M118GC07 ,  4M118GC17 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  4M118GD20 ,  5C024GY31 ,  5C024HX01 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA20 ,  5F049NB05 ,  5F049QA03 ,  5F049QA15 ,  5F049SS03 ,  5F049SZ06 ,  5F049SZ13 ,  5F049SZ20 ,  5F049UA01 ,  5F049UA13 ,  5F049UA16
引用特許：
審査官引用 (3件)

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