特許

J-GLOBAL ID：200903037840468204

チッ化珪素膜の堆積方法、及び堆積装置

発明者： 鈴木 洋一
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-335151
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142470
出願日： 2001年10月31日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】 Al系材料から構成されるステージからのAlによりウエハが汚染されるのを低減できる、チッ化珪素膜の堆積方法を提供する。【解決手段】 先ず、チャンバの内壁及びステージ上に堆積されたチッ化珪素膜をクリーニングする工程が実施される(S201)。次に、ステージをSiO2膜で被覆する工程が実施される(S202)。この工程では、SiH4ガス及びN2Oガスが使用され、ステージがSiO2膜で被覆される(S203)。続いて、ウエハがチャンバ内に搬入され、ステージ上に載置される(S204)。その後、ウエハ上にチッ化珪素膜を堆積する工程が実施される。この工程では、N2ガス及びSiH4ガスが用いられる。また、ステージの温度は550°Cに保たれる。以上により、ウエハ上にチッ化珪素膜が形成される。最後に、ウエハがチャンバ21a内から搬出される(S205)。

請求項（抜粋）：

基板上にチッ化珪素膜を堆積させる方法であって、チャンバ内のステージを酸化ケイ素膜で被覆する工程と、前記ステージに前記基板を載置する工程と、前記基板上にチッ化珪素膜を堆積する工程と、を備える、チッ化珪素膜の堆積方法。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/318

FI (4件)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/44 J ,  H01L 21/318 B

Fターム (25件)：

4K030AA01 ,  4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030DA06 ,  4K030JA10 ,  4K030KA41 ,  4K030KA47 ,  5F045AA09 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AD09 ,  5F045AE21 ,  5F045BB14 ,  5F045DP03 ,  5F045EB02 ,  5F045HA01 ,  5F058BC08 ,  5F058BE10 ,  5F058BF08

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 基板処理装置及びそのクリーニング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-273174   出願人：株式会社東芝
• 絶縁膜を形成する方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-274819   出願人：株式会社ジーテイシー