特許
J-GLOBAL ID:200903037843849926
パターン形成体の製造方法及びパターン形成体の再生方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
正林 真之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-087271
公開番号(公開出願番号):特開2009-241263
出願日: 2008年03月28日
公開日(公表日): 2009年10月22日
要約:
【課題】レーザー光を使用することなく、CTP等のディジタル化にも対応してパターン形成体を製造することが可能なパターン形成体の製造方法、及び製造されたパターン形成体を再生してパターン形成体用原版を得るパターン形成体の再生方法を提供する。【解決手段】本発明に係るパターン形成体の製造方法は、光触媒層と該光触媒層上に形成された光触媒の作用により特性の変化する特性変化層とを有するパターン形成体用原版を用いてパターン形成体を製造する方法であり、特性変化層上に、活性光を遮光する遮光パターンを形成する工程と、活性光を透過する透明基材上に光触媒層が形成された光触媒層形成基材を、この光触媒層と遮光パターンが形成された特性変化層とが接触するように配置する工程と、光触媒層形成基材を介して、パターン形成体用原版に活性光を照射する工程と、活性光の照射後、光触媒層形成基材を取り外す工程と、を含む。【選択図】なし
請求項(抜粋):
光触媒層と該光触媒層上に形成された光触媒の作用により特性の変化する特性変化層とを有するパターン形成体用原版を用いてパターン形成体を製造する方法であって、
前記特性変化層上に、活性光を遮光する遮光パターンを形成する工程と、
活性光を透過する透明基材上に光触媒層が形成された光触媒層形成基材を、前記光触媒層と前記遮光パターンが形成された前記特性変化層とが接触するように配置する工程と、
前記光触媒層形成基材を介して、前記パターン形成体用原版に活性光を照射する工程と、
活性光の照射後、前記光触媒層形成基材を取り外す工程と、を含むことを特徴とするパターン形成体の製造方法。
IPC (5件):
B41C 1/10
, G02B 5/20
, G03F 7/004
, G03F 7/00
, B01J 35/02
FI (5件):
B41C1/10
, G02B5/20 101
, G03F7/004 521
, G03F7/00 503
, B01J35/02 J
Fターム (32件):
2H025AB03
, 2H025AC01
, 2H025BB00
, 2H025BH01
, 2H025BH03
, 2H048BA02
, 2H048BA11
, 2H048BA47
, 2H048BA64
, 2H048BB01
, 2H048BB02
, 2H048BB24
, 2H084AA30
, 2H084BB02
, 2H084BB04
, 2H084BB13
, 2H084CC05
, 2H096AA06
, 2H096BA13
, 2H096EA02
, 4G169AA03
, 4G169BA04B
, 4G169BA37
, 4G169BA48A
, 4G169EA08
, 4G169EB15Y
, 4G169HA01
, 4G169HB01
, 4G169HC16
, 4G169HD10
, 4G169HE20
, 4G169HF05
引用特許:
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