特許

J-GLOBAL ID：200903037850458592

薄膜トランジスタの製造方法および液晶表示装置

発明者： 吉岡 達男 ,  筒 博司 ,  川村 哲也 ,  前川 茂樹
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-045264
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246554
出願日： 1996年03月04日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】 光電流の発生を抑えるための金属薄膜による遮光層を有する薄膜トランジスタの製造方法とその薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置を提供する。【解決手段】 ガラス基板101の上に形成した遮光用金属薄膜102をマスクにして、上部に形成した多結晶シリコン薄膜105を裏面露光によりパターニングして半導体層を形成する。この薄膜トランジスタを用いて投射型の液晶表示装置を構成する。

請求項（抜粋）：

透光性基板の上に金属薄膜を所定の形状に形成する第1の工程と、前記金属薄膜の上に絶縁性薄膜を堆積する第2の工程と、前記絶縁性薄膜の上に非晶質シリコン薄膜を堆積する第3の工程と、前記非晶質シリコン薄膜を多結晶シリコン薄膜にする第4の工程と、前記多結晶シリコン薄膜の上にレジストを塗布し基板裏面から露光し現像する第5の工程と、パターンを形成した前記レジストで多結晶シリコン薄膜をパターニングする第6の工程とを少なくとも有する薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/12

FI (4件)：

H01L 29/78 627 C ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/12 Z ,  H01L 29/78 616 N

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-250037
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-074135   出願人：シャープ株式会社