特許
J-GLOBAL ID:200903037864229871
炭素ナノ構造体を製造するシステムおよび方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
磯野 道造
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-542059
公開番号(公開出願番号):特表2007-515369
出願日: 2004年12月02日
公開日(公表日): 2007年06月14日
要約:
炭素ナノ構造体を大量合成する方法、工程、装置が提供される。小さな粒径と狭い粒径分布を有する金属触媒を調製し、エーロゾルとして反応器に連続的に注入する。金属触媒は実質的に炭素を含まない支持体上に担持される。反応器は、反応時間ならびに反応物質と反応器の壁との接触が制御可能なように、ガス流を制御できるようになっている。単層カーボンナノチューブを大量に高収率で合成することができる。
請求項(抜粋):
金属ナノ粒子の触媒を供給し;
不活性ガスに前記触媒を取り込んで運搬し;さらに
炭素ナノ構造体を形成するのに十分な温度で前記運搬された触媒を炭素前駆ガスに接触させる
ことを含む炭素ナノ構造体の合成方法。
IPC (3件):
C01B 31/02
, B01J 23/745
, B01J 35/02
FI (3件):
C01B31/02 101F
, B01J23/74 301M
, B01J35/02 H
Fターム (44件):
4G146AA12
, 4G146BA09
, 4G146BA12
, 4G146BB22
, 4G146BC01
, 4G146BC08
, 4G146BC22
, 4G146BC23
, 4G146BC25
, 4G146BC29
, 4G146BC33A
, 4G146BC33B
, 4G146BC43
, 4G146BC44
, 4G146BC46
, 4G146BC48
, 4G146DA03
, 4G146DA23
, 4G146DA25
, 4G146DA40
, 4G169AA03
, 4G169AA08
, 4G169AA12
, 4G169BA01A
, 4G169BA01B
, 4G169BA02A
, 4G169BA06A
, 4G169BA07A
, 4G169BB02A
, 4G169BB02B
, 4G169BC59A
, 4G169BC66A
, 4G169BC66B
, 4G169BC67A
, 4G169BC68A
, 4G169CB81
, 4G169DA08
, 4G169EA02X
, 4G169EA02Y
, 4G169EB18X
, 4G169EB18Y
, 4G169FA01
, 4G169FA02
, 4G169FB14
引用特許: