特許

J-GLOBAL ID：200903037880355356

半導体素子

発明者： 宇田川 隆
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-120231
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316141
出願日： 1995年05月18日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】 第VI族元素が添加された含窒素 III-V族化合物半導体を得るに際し、ドーピング効率がよく、かつ炭素濃度の汚染を低く抑制ですること。【構成】 化合物半導体素子はアルミニウム、ガリウム、インジウムの少なくとも一つを含む第 III族の元素と少なくとも窒素を含む第V族の元素との III-V族化合物半導体から構成されている。このドーピング源は第VI族の元素を含み、炭素原子と窒素原子が結合したもしくは窒素原子と水素原子が結合した置換基を含まず、また酸素原子も含まない特定の有機化合物を用いる。

請求項（抜粋）：

アルミニウム、ガリウム及びインジウムのうち少なくとも1種の元素と、少なくとも窒素を含む第V族元素とからなる III-V族化合物半導体素子であって、ドーパントとして硫黄、セレン及びテルルのうち少なくとも1種の元素と、炭素原子数3以上の炭化水素基を含む鎖状炭化水素化合物を用いてドーピングしてなることを特徴とする III-V族化合物半導体素子。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体薄膜の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-138166   出願人：旭化成工業株式会社