特許

J-GLOBAL ID：200903037896178012

塗膜の形成方法、半導体装置の製造方法および塗布液

発明者： 山田 展英 ,  中田 錬平 ,  杉浦 誠 ,  吉岡 睦彦 ,  北野 高広 ,  小林 真二
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  ジェイエスアール株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-012053
公開番号（公開出願番号）：特開2003-211070
出願日： 2002年01月21日
公開日（公表日）： 2003年07月29日
要約：

【要約】【課題】スキャン塗布法により均一な膜厚を有する塗膜を形成するための塗膜形成方法を提供する。【解決手段】スキャン塗布法に用いる塗布液として、室温での蒸気圧が1Torr(133.322Pa)未満の低蒸気圧溶剤を含む塗布液を用いる。

請求項（抜粋）：

ノズルと基板を相対的に移動させながら、塗膜形成材料を溶剤に溶解した塗布液を前記ノズルから前記基板上に吐出し、塗布液膜を形成した後、この塗布液膜から溶剤を除去することによって塗膜を形成する方法において、前記塗布液は、室温での蒸気圧が1Torr(133.322Pa)未満の低蒸気圧溶剤を含むことを特徴とする、塗膜の形成方法。

IPC (7件)：

B05D 1/30 ,  B05D 3/00 ,  B05D 7/00 ,  G03F 7/16 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316

FI (9件)：

B05D 1/30 ,  B05D 3/00 A ,  B05D 7/00 H ,  G03F 7/16 ,  H01L 21/312 B ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 564 Z

Fターム (20件)：

2H025AB16 ,  2H025CC03 ,  2H025CC08 ,  2H025EA04 ,  4D075AC12 ,  4D075AC14 ,  4D075BB20Z ,  4D075BB93Z ,  4D075DA08 ,  4D075DC22 ,  4D075EA05 ,  4D075EA45 ,  4D075EC30 ,  5F046JA27 ,  5F058AA03 ,  5F058AC02 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 塗布膜形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-386908   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 電子部品用材料およびそれを硬化してなる電子部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-255285   出願人：ジェイエスアール株式会社