特許
J-GLOBAL ID:200903037912201089

光半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-117248
公開番号(公開出願番号):特開平9-307145
出願日: 1996年05月13日
公開日(公表日): 1997年11月28日
要約:
【要約】【課題】本願発明は、光半導体素子を利用した発光ダイオードや光センサーなどの光半導体装置に関し、特に、光効率に優れ、かつ耐久性にも優れた光半導体装置に関する。【解決手段】本願発明は、パッケージ内に配置された光半導体素子と、該光半導体素子の一方の電極を第1のパッケージ電極に接続する導電性ワイヤーと、前記光半導体素子が透光性絶縁体を介して配置された第2のパッケージ電極と、前記光半導体素子の他方の電極を第2のパッケージ電極に電気的に接続する導電性ワイヤーと、を有し、少なくとも前記第2のパッケージ電極の光半導体素子が配置される配置部が平滑面を有し、且つ少なくとも前記第2のパッケージ電極の導電性ワイヤーが接続される接続部が粗面である光半導体装置である。
請求項(抜粋):
パッケージ内に配置された光半導体素子と、該光半導体素子の一方の電極を第1のパッケージ電極に接続する導電性ワイヤーと、前記光半導体素子が透光性絶縁体を介して配置された第2のパッケージ電極と、前記光半導体素子の他方の電極を第2のパッケージ電極に電気的に接続する導電性ワイヤーと、を有し、少なくとも前記第2のパッケージ電極の光半導体素子が配置される配置部が平滑面を有し、且つ少なくとも前記第2のパッケージ電極の導電性ワイヤーが接続される接続部が粗面であることを特徴とする光半導体装置。
IPC (3件):
H01L 33/00 ,  H01L 31/02 ,  H01L 31/10
FI (3件):
H01L 33/00 N ,  H01L 31/02 B ,  H01L 31/10 A
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • チップ形発光ダイオード
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-184405   出願人:ローム株式会社
  • 発光デバイス
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-263783   出願人:日亜化学工業株式会社
  • 特開平1-266729
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