特許

J-GLOBAL ID：200903037914585275

電源装置

発明者： 番場 重輝 ,  長澤 康夫
出願人/特許権者： ネミック・ラムダ株式会社
代理人 (1件)： 牛木 護
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-141578
公開番号（公開出願番号）：特開平10-337004
出願日： 1997年05月30日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】 簡単な構成で、MOS型FET7が略オン状態になる事態が発生しても、平滑コンデンサ9の破損を確実に防止する。【解決手段】 力率改善回路5は、MOS型FET7をスイッチングして交流電源電圧の電流波形と電圧波形とを近付ける。MOS型FET7が略オン状態になると、直流電圧Viは上昇する。しかし、ツェナーダイオード41,42が直流電圧Viを平滑コンデンサ9の耐電圧以下に保持するので、平滑コンデンサ9は破損しない。さらに、ツェナーダイオード41,42が短絡破壊に至っても、ヒューズ43が溶断して、電源装置の各回路素子を保護する。ツェナーダイオード41,42とヒューズ43だけの構成であるため、基板実装やコストの面で負担にならない。

請求項（抜粋）：

交流電源電圧を整流する整流回路と、スイッチング素子をスイッチングして前記交流電源電圧の電流波形と電圧波形とを近付け、平滑コンデンサから平滑した直流電圧を供給する力率改善回路とを備えた電源装置において、前記平滑コンデンサの耐電圧以下のツェナー電圧特性を有するツェナーダイオードを、該平滑コンデンサの両端間に接続すると共に、前記ツェナーダイオードの短絡時に溶断するヒューズを前記整流回路の入力側に接続したことを特徴とする電源装置。

IPC (4件)：

H02M 3/155 ,  H02H 3/08 ,  H02J 3/18 ,  H02M 3/28

FI (5件)：

H02M 3/155 C ,  H02M 3/155 F ,  H02H 3/08 P ,  H02J 3/18 B ,  H02M 3/28 U

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 電源回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-097176   出願人：三田工業株式会社
• 逆導通電圧クランプ回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-248554   出願人：株式会社安川電機