特許

J-GLOBAL ID：200903046021913036

逆導通電圧クランプ回路

発明者： 沢 俊裕 ,  久米 常生 ,  園田 澄利 ,  山田 健二
出願人/特許権者： 株式会社安川電機
代理人 (1件)： 西村 政雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-248554
公開番号（公開出願番号）：特開平9-069766
出願日： 1995年08月31日
公開日（公表日）： 1997年03月11日
要約：

【要約】【目的】 電力変換器などに使用されるツェナーダイオードの特性を持つ高電圧で、容量の大きい電圧クランプ回路を提供する。【構成】 半導体スイッチング素子[例えばIGBT・絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ]1と、半導体スイッチング素子1のコレクタとエミッタにカソードとアノードを逆並列に接続したダイオード2を備え、半導体スイッチング素子1のコレクタとゲート間に第1の抵抗R1(3)を接続し、ゲートとエミッタ間に第2の抵抗R2(4)を接続し、クランプ電圧VCEと、半導体スイッチング素子1のコレクタ・エミッタ間を遮断状態から導通状態にするゲート・エミッタ間電圧の閾値VGESの関係が、略 VCE=VGES×{(R1+R2)/R2}になるように第1の抵抗R1と第2の抵抗R2を選んで成る。

請求項（抜粋）：

半導体スイッチング素子と、前記半導体スイッチング素子のコレクタとエミッタにカソードとアノードを逆並列に接続したダイオードを備え、前記半導体スイッチング素子のコレクタとゲート間に第1の抵抗R1を接続し、前記半導体スイッチング素子のゲートとエミッタ間に第2の抵抗R2を接続し、前記半導体スイッチング素子のクランプ電圧VCEと、前記半導体スイッチング素子のコレクタ・エミッタ間を遮断状態から導通状態にするゲート・エミッタ間電圧の閾値VGESの関係が、略VCE=VGES×{(R1+R2)/R2}になるように前記第1の抵抗R1と前記第2の抵抗R2を選んで回路を構成したことを特徴とする逆導通電圧クランプ回路。

IPC (2件)：

H03K 17/567 ,  H03K 17/00

FI (2件)：

H03K 17/56 C ,  H03K 17/00 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-175722
  
• レベル変換回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-133434   出願人：アルカテル・エヌ・ブイ