特許
J-GLOBAL ID：200903037935025997
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-003063
公開番号（公開出願番号）：特開平11-102911
出願日： 1998年01月09日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：
【要約】【課題】 外部接続用電極の表面に金属酸化膜が形成されないようにして、外部接続用電極における接触抵抗の低減及び接合強度の向上を図る。【解決手段】 半導体基板100上の層間絶縁膜101に配線用凹部102及び外部電極用凹部103を形成した後、タンタル膜104を堆積し、その後、銅膜105を、配線用凹部102が充填される一方、外部電極用凹部103の上部に空間が存在するように堆積する。銅膜105の上に、該銅膜105の酸化を抑制するアルミニウム膜106を堆積した後、層間絶縁膜101が露出するまで化学機械研磨を行なって、銅膜105及びタンタル膜104よりなる金属配線107、並びにアルミニウム膜106、銅膜105及びタンタル膜104よりなる外部接続用電極108を形成する。次に、シリコン窒化膜109及びシリコン酸化膜110よりなる保護膜を堆積した後、該保護膜に外部接続用開口部111を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の最上層の配線層に形成された金属配線及び外部接続用電極とを備えた半導体装置において、前記金属配線は第1の金属よりなり、前記外部接続用電極は、前記第1の金属よりなる第1の金属膜と、該第1の金属膜の上に形成され、前記第1の金属よりも耐酸化性に優れた第2の金属よりなる第2の金属膜とから構成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/28 301
H01L 21/88 N
, H01L 21/28 301 R
, H01L 21/88 M
, H01L 21/88 R
