エッチング方法及び多層配線構造

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-066346
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261624
出願日： 1997年03月19日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：

【要約】【課題】有機絶縁膜のエッチングに際し、エッチング終点検出用の膜を成膜せずにエッチング終点を検出する方法を提供する。【解決手段】被エッチング材料1上に形成された開口パターン3を有するレジスト2をマスクに被エッチング材料をエッチングするに際し、両者を同時にエッチングし、前記材料1とエッチングガスとの反応生成物7の発光スペクトル強度をモニタしながらエッチングを行い、レジスト2が全て除去された時点で反応生成物7の強度が急激に増加する変化からエッチング終点を検出する。

請求項（抜粋）：

被エッチング材料上にフォトレジスト膜を形成する工程、フォトレジストに開口部パターンを形成する工程、被エッチング材料とフォトレジストの両者を同時にエッチング可能な組成を有するエッチングガスによりドライエッチングする工程、により、フォトレジストに形成した開口部パターンを被エッチング材料に転写すると同時にフォトレジストの除去を行うエッチング方法であって、前記被エッチング材料とエッチングガスの少なくとも一つの組成成分との反応生成物による第一の発光強度をモニタしながら前記ドライエッチングを行い、前記フォトレジストがすべて除去されて全面に前記被エッチング材料が現われることで前記発光スペクトル強度が増加する変化からエッチングの終点を検出することを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/302 E , C23F 4/00 F , H01L 21/90 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

エッチング終点検出方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-123517 出願人：新日本製鐵株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-224539 出願人：日本電気株式会社
特開平1-181424

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