特許

J-GLOBAL ID：200903037953853007

半導体装置及びその製造方法

発明者： 小野 敦
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-038395
公開番号（公開出願番号）：特開2006-228837
出願日： 2005年02月15日
公開日（公表日）： 2006年08月31日
要約：

【課題】 光透過性部材と半導体基板上の能動素子との間に中空部分を形成する構造を得るために、光透過性部材と半導体基板との接合時に、高荷重を掛けること及びパターン合わせを不要にする。【解決手段】 半導体装置1において、スペーサー層17を半導体基板11上の撮像素子12の周囲に形成し、スペーサー層17に接着剤層18を介してガラスリッド15を接合する。これにより、半導体基板11とガラスリッド15との間には、撮像素子12が配置される部位には空間16が形成される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

能動素子が形成された半導体基板と、該半導体基板の能動素子形成面上に前記能動素子と間隔をおいて設けられる光透過性部材とを備え、前記能動素子形成面と前記光透過性部材との間に空間が形成された半導体装置において、 前記空間を形成するために前記半導体基板上の前記能動素子の周囲に形成されるスペーサー層と、 前記光透過性部材と前記スペーサー層とを接合する接着剤層とを備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/14 ,  H04N 5/335

FI (2件)：

H01L27/14 D ,  H04N5/335 U

Fターム (20件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118FA06 ,  4M118GC11 ,  4M118GD04 ,  4M118HA02 ,  4M118HA24 ,  4M118HA25 ,  4M118HA31 ,  4M118HA33 ,  5C024CY47 ,  5C024EX43 ,  5C024EX51 ,  5C024EX55 ,  5C024GX02 ,  5C024GY01 ,  5C024GY31 ,  5C024HX01

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 光素子及びその製造方法並びに電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-165017   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 固体撮像装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-374301   出願人：オリンパス株式会社