特許

J-GLOBAL ID：200903037965916420

薄膜トランジスタ及びそれを用いた液晶表示装置

発明者： 井上 俊輔 ,  市川 武史
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-081485
公開番号（公開出願番号）：特開平8-340120
出願日： 1996年04月03日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：

【要約】【課題】 ソース・ドレインのリーク電流を小さく、ソース・ドレイン間の寄生抵抗を減らして駆動力を向上させ、優れたON/OFF比を得る薄膜トランジスタとすることを課題とする。【解決手段】 絶縁性基板上の薄膜シリコン領域内にソース領域、ドレイン領域、チャネル領域を有し、チャネル領域上にはゲート絶縁膜を介してゲート電極を有し、ソース領域及びドレイン領域の少なくとも一方は高濃度不純物領域と低濃度不純物領域を有し、該チャネル領域と該低濃度不純物領域が接する構造を有する薄膜トランジスタにおいて、該低濃度不純物領域は少なくともチャネル領域とほぼ同じ厚さの薄膜からなる第一の領域と、該高濃度不純物領域とほぼ同じ厚さの薄膜からなり第一の領域より厚い第二の領域を有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上の薄膜シリコン領域内にソース領域、ドレイン領域、チャネル領域を有し、前記チャネル領域上にはゲート絶縁膜を介してゲート電極を有し、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の少なくとも一方は高濃度不純物領域と低濃度不純物領域を有し、前記チャネル領域と前記低濃度不純物領域が接する構造を有する薄膜トランジスタにおいて、前記低濃度不純物領域は少なくとも前記チャネル領域とほぼ同じ厚さの薄膜からなる第一の領域と、前記高濃度不純物領域とほぼ同じ厚さの薄膜からなり前記第一の領域より厚い第二の領域とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500

FI (4件)：

H01L 29/78 616 A ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 616 T ,  H01L 29/78 617 N

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-057640   出願人：シャープ株式会社
• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-262263   出願人：シヤープ株式会社
• 特開平4-344618
  
• 特開平4-286335