特許

J-GLOBAL ID：200903065581159200

薄膜トランジスタ

発明者： 上田 徹
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 西田 新
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-057640
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259457
出願日： 1992年03月16日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【目的】 オン電流を低下させることなくオフ電流を低減し、高いオン・オフ電流比を有する薄膜トランジスタを提供する。【構成】 半導体基板上に形成された半導体層の中央部にチャネル領域が形成され、そのチャネル領域の少なくとも一方に低濃度不純物領域が形成され、その低濃度不純物領域の両側には高濃度不純物領域が形成された構造であり、かつ、そのチャネル領域および低濃度不純物領域の厚さがその高濃度不純物領域の厚さより薄く形成された構造をなす。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上にゲート絶縁膜を挟んで半導体層とゲート電極とを有し、かつ上記半導体層の中央部がチャネル領域で、そのチャネル領域の少なくとも一方に低濃度不純物領域が形成され、またその低濃度不純物領域の両側には高濃度不純物領域が形成された構造を有する薄膜トランジスタにおいて、上記半導体層のチャネル領域および低濃度不純物領域の厚さが上記高濃度不純物領域の厚さより薄く形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500 ,  G09F 9/30 338

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-284865
  
• 特開昭62-281473
  
• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-294475   出願人：セイコーエプソン株式会社