特許
J-GLOBAL ID:200903037994058700
有機半導体材料並びにそれを用いた有機半導体素子及び電界効果トランジスタ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
目次 誠
, 宮▲崎▼主税
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-217277
公開番号(公開出願番号):特開2007-088431
出願日: 2006年08月09日
公開日(公表日): 2007年04月05日
要約:
【課題】キャリア移動度が高い有機半導体材料並びにそれを用いた有機半導体素子及び電界効果トランジスタを得る。【解決手段】芳香族環を有する基X1、X2、及びX3が、少なくとも3箇所の結合部を有する分岐部Yに結合してなる有機半導体材料であり、分岐部Yが、好ましくは、以下に示す構造を有することを特徴としている。 (式中、R1、R2及びR3は、水素、置換されてもよいアルキル基、置換されてもよいアルコキシ基、または置換されてもよいアリール基であり、互いに同一または異なっていてもよい。)【選択図】なし
請求項(抜粋):
芳香族環を有する基X1、X2、及びX3が、少なくとも3箇所の結合部を有する分岐部Yに結合してなることを特徴とする有機半導体材料。
IPC (4件):
H01L 51/30
, H01L 51/05
, H01L 51/40
, H01L 29/786
FI (4件):
H01L29/28 250H
, H01L29/28 100A
, H01L29/28 310J
, H01L29/78 618B
Fターム (15件):
5F110AA01
, 5F110AA05
, 5F110CC07
, 5F110DD05
, 5F110DD13
, 5F110EE08
, 5F110FF02
, 5F110FF36
, 5F110GG05
, 5F110GG24
, 5F110GG28
, 5F110GG29
, 5F110GG42
, 5F110HK02
, 5F110HK32
引用特許:
引用文献:
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