特許

J-GLOBAL ID：200903037995248758

半導体装置及びその製造方法

発明者： 木村 学 ,  松尾 美恵 ,  佐々木 圭一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-141218
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340434
出願日： 1998年05月22日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】物理的・熱的衝撃からリダンダンシヒューズ下面の素子又は配線を保護する。【解決手段】素子2及び配線4の上に層間絶縁膜層3aを介して形成された層間絶縁膜層11間に埋め込まれた高熱伝導性金属からなるヒートシンク層13aと、このヒートシンク層13aの上に形成された熱抵抗層13bと、この熱抵抗層13bの上に堆積した層間絶縁膜層14中に埋め込み形成されたリダンダンシヒューズ6からなる。

請求項（抜粋）：

配線及び素子が形成された半導体層と、この半導体層上に形成された絶縁層と、この絶縁層中に形成された複数のリダンダンシヒューズとを具備してなり、前記半導体層と前記リダンダンシヒューズとの間でかつ前記複数のリダンダンシヒューズの少なくとも直下領域には前記リダンダンシヒューズ材料よりも高融点の物質からなる衝撃遮断層が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/82 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 27/10 681 F ,  H01L 21/82 F ,  H01L 21/82 R ,  H01L 21/88 Z

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭58-000170
  
• 特開平2-271555
  
• 集積回路、ダイナミックランダムアクセスメモリ集積回路、集積回路での、レーザヒューズリンクがレーザビームによってセットされた場合に、当該レーザヒューズリンクの下側に位置している領域をレーザ誘導の損傷から保護するための方法、及び、レーザヒューズリンクを有する集積回路の容量を増大するための方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-258425   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト, インターナショナルビジネスマシーンズコーポレーション