特許
J-GLOBAL ID：200903038001734620
酸感応性重合体、レジスト組成物、レジストパターン形成方法、および半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-165935
公開番号（公開出願番号）：特開平11-012326
出願日： 1997年06月23日
公開日（公表日）： 1999年01月19日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 KrFあるいはArFエキシマレーザの波長に対して実用可能な感度で、膨潤のない微細なレジストパターンを、密着性良く、しかも安価に形成できるレジスト組成物を提供する。【解決手段】 化学増幅型のレジスト組成物において、光酸発生剤とともに含まれる酸反応性重合体が、次式(I)により表されるラクトン部分(nは1〜4の整数であり、Rは水素あるいは任意のアルキル基、アルコキシル基、アルコキシカルボニル基であり、エステル結合している2位を除く任意の位置に結合できる)をカルボキシル基の保護基として含み構成する。
請求項（抜粋）：
塩基性水溶液に不溶な被膜形成性の重合体であって、次式(I)【化1】(nは1〜4の整数であり、Rは水素あるいは任意のアルキル基、アルコキシル基、アルコキシカルボニル基であり、エステル結合している2位を除く任意の位置に結合できる)により表されるラクトン構造を、樹脂側鎖のカルボキシル基の保護基として含有し、さらに、樹脂側鎖に酸に対して不安定な保護基を有する追加の酸性官能基を含む酸感応性重合体。
IPC (11件)：
C08F 20/26
, C08F 12/04
, C08F 22/40
, C08F246/00
, G03F 7/004 501
, G03F 7/033
, G03F 7/039 601
, G03F 7/30
, G03F 7/40 521
, H01L 21/027
, H01L 21/3065
C08F 20/26
, C08F 12/04
, C08F 22/40
, C08F246/00
, G03F 7/004 501
, G03F 7/033
, G03F 7/039 601
, G03F 7/30
, G03F 7/40 521
, H01L 21/30 502 R
, H01L 21/302 H
