半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-266614
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153616
出願日： 1996年09月18日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：

【要約】【課題】シリコン膜等との界面が平坦なニッケルまたはコバルトシリサイド膜を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン膜21の表面に、窒素ガスを添加した混合ガスを用いて、スパッタ法によりニッケルまたはコバルトの第1の金属膜22を形成する工程と、前記シリコン膜21と前記第1の金属膜22とを熱反応させ、ニッケルシリサイドまたはコバルトシリサイドの膜24を形成する工程を具備する。

請求項（抜粋）：

シリコン膜の表面に、窒素ガスを添加した混合ガスを用いて、スパッタ法によりニッケルとコバルトの内の1つである第1の金属を含む第1の金属膜を形成する工程と、前記シリコン膜と前記第1の金属膜とを熱反応させ、前記第1の金属のシリサイド膜を形成する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 21/28 301 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (4件)：

H01L 29/78 301 S , H01L 21/28 301 T , H01L 27/08 321 F , H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平2-096374
特開昭62-076560
特開平2-162723

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