薄膜半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：上柳雅誉 , 藤綱英吉 , 須澤修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-205748
公開番号（公開出願番号）：特開2005-056894
出願日： 2003年08月04日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：

【課題】面方位が制御された半導体薄膜を簡便且つ確実に形成可能な薄膜半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも一方の表面が絶縁性の基板に微細孔を形成する工程(S103)と、微細孔の底部を含む基板上に半導体膜の結晶化を促進する結晶化促進膜を堆積する工程(S104)と、微細孔内及び結晶化促進膜上に第1の非晶質半導体膜を堆積する工程(S105)と、微細孔内に第1の非晶質半導体膜を残した状態で第1の非晶質半導体膜と結晶化促進膜とを基板表面から除去する工程(S106)と、第2の非晶質半導体膜を堆積する工程(S107)と、第1及び第2の非晶質半導体膜を溶融・結晶化させることにより所定の面方位を有する略単結晶半導体結晶粒を前記微細孔を中心とした領域に形成する工程(S109)とを含む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

少なくとも一方の表面が絶縁性の基板に微細孔を形成する微細孔形成工程と、前記微細孔の底部を含む基板上に半導体膜の結晶化を促進する結晶化促進膜を堆積する結晶化促進膜堆積工程と、前記微細孔内及び結晶化促進膜上に第1の非晶質半導体膜を堆積する第1の半導体膜堆積工程と、前記微細孔内に前記第1の非晶質半導体膜を残した状態で前記第1の非晶質半導体膜と結晶化促進膜とを基板表面から除去する除去工程と、第2の非晶質半導体膜を堆積する第2の半導体膜堆積工程と、前記第1及び第2の非晶質半導体膜を溶融・結晶化させることにより所定の面方位を有する略単結晶半導体結晶粒を前記微細孔を中心とした領域に形成する溶融結晶化工程と、を含むことを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/786

FI (5件)：

H01L21/20 , H01L21/205 , H01L29/78 626C , H01L29/78 627G , H01L29/78 618C

Fターム (63件)：

5F045AA03 , 5F045AA06 , 5F045AA08 , 5F045AA18 , 5F045AA19 , 5F045AB04 , 5F045BB16 , 5F045CA15 , 5F045DB01 , 5F052AA02 , 5F052BB07 , 5F052CA08 , 5F052DA02 , 5F052DA03 , 5F052DB01 , 5F052DB02 , 5F052DB03 , 5F052DB07 , 5F052FA06 , 5F052FA16 , 5F052JA01 , 5F110AA01 , 5F110AA05 , 5F110AA17 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD07 , 5F110DD13 , 5F110DD21 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF30 , 5F110FF31 , 5F110FF32 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG17 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN73 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP10 , 5F110PP34 , 5F110QQ19

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